高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
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產(chǎn)品名稱(chēng): 高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
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產(chǎn)品展商: 其他品牌
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簡(jiǎn)單介紹
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber適用于考核產(chǎn)品（整機(jī)）、元器件、零部件等經(jīng)受溫度急劇變化的能力，該溫度沖擊試驗(yàn)?zāi)軌蛄私庠囼?yàn)樣品一次或連續(xù)多次因溫度變化而帶來(lái)的影響。影響溫度變化試驗(yàn)的主要參數(shù)為溫度變化范圍的高溫和低溫溫度值、樣品在高溫和低溫下的保持時(shí)間、以及試驗(yàn)的循環(huán)次數(shù)等因素。高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
的詳細(xì)介紹
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber簡(jiǎn)介：本試驗(yàn)箱適用于考核產(chǎn)品（整機(jī)）、元器件、零部件等經(jīng)受溫度急劇變化的能力，該溫度沖擊試驗(yàn)?zāi)軌蛄私庠囼?yàn)樣品一次或連續(xù)多次因溫度變化而帶來(lái)的影響。影響溫度變化試驗(yàn)的主要參數(shù)為溫度變化范圍的高溫和低溫溫度值、樣品在高溫和低溫下的保持時(shí)間、以及試驗(yàn)的循環(huán)次數(shù)等因素。
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber技術(shù)參數(shù)
型號(hào)
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TS 60
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TS 120
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TS 120 P
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TS 300
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TS 300 P
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測(cè)試空間容積
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l
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60
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120
|
120
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300
|
300
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移動(dòng)提籃最大負(fù)載
|
kg
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20
|
50
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50
|
100
|
100
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試驗(yàn)空間尺寸：
高（H）x寬（W）x深（D） m
|
mm
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370x380x430
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410x470x650
|
410x470x650
|
610x770x650
|
610x770x650
|
熱箱溫度范圍
|
°C
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
冷箱溫度范圍
|
°C
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
熱箱升溫速率①
|
K/min
|
17.0
|
14.0
|
18.0
|
11.0
|
23.0
|
冷箱降溫速率①
|
K/min
|
3.7
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6.3
|
7.5
|
5.0
|
12.0
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冷箱升溫速率,單箱操作①
|
K/min
|
3.2
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2.0
|
2.0
|
1.5
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1.5
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溫度波動(dòng)度②
|
K
|
±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
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±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
|
溫度均勻性③
|
K
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
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±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
熱/冷箱轉(zhuǎn)換時(shí)間
|
sec
|
<10
|
<10
|
<10
|
<10
|
<10
|
恢復(fù)時(shí)間–溫度變化測(cè)試
|
min
|
<15④
|
<15⑤
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<12⑥
|
<15⑦
|
<15⑧
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熱箱校準(zhǔn)值⑨
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°C
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+125
|
+125
|
+125
|
+125
|
+125
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冷箱校準(zhǔn)值⑨
|
°C
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–40
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–40
|
–40
|
–40
|
–40
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①
根據(jù)IEC 60068-3-5。通過(guò)選擇提升/降低熱箱/冷箱溫度來(lái)提高溫度變化速率。
②有效測(cè)試空間中心點(diǎn)。
③基于設(shè)置點(diǎn)；溫度范圍 –65 °C to +200 °C。
④MIL-STD-883 E，方法 1010.9，強(qiáng)度級(jí) D ，4.5 kg ICs 分布于2個(gè)樣品架內(nèi)，樣品內(nèi)測(cè)量。
⑤MIL-STD-883 J，方法 1010.9，強(qiáng)度級(jí) D，12 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi)，樣品內(nèi)測(cè)量。
⑥MIL-STD-883 F，方法 1010.9，強(qiáng)度級(jí) D，20 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi)，樣品內(nèi)測(cè)量。
⑦
MIL-STD-883 J，方法 1010.9，強(qiáng)度級(jí) F，25 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi)，樣品內(nèi)測(cè)量。
⑧
MIL-STD-883 F，方法 1010.9，強(qiáng)度級(jí) F，50 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi)，樣品內(nèi)測(cè)量。
⑨出廠計(jì)量。
